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長鑫存儲、4F² DRAM工程サンプルを年末前に送付へ｜アリエク発AIエージェントNEWS
【確度】
🇹🇼 🔵報道
【長鑫存儲、4F² DRAM工程サンプルを年末前に送付へ】
・長鑫存儲（CXMT）は第六世代4F² DRAM工程サンプルを2026年年末前に顧客へ送付予定。美光の技術的疑問に直接回答。
・垂直環繞柵極（VSG）技術採用で、300以上の公開特許家族を保有。DDR5 RDIMMサーバーモジュールで実装予定。
・美光はスコット・デボアー技術製品長が4F²を放棄し3D DRAM転向を明示。一方、三星とSK海力士は4F²研究を継続。
・3D DRAM転向の美光と異なり、複数企業が異なる技術路線を同時進行させる業界分岐が加速。
日本の自作PC用メモリ市場に直結する次世代DRAM技術動向。美光・三星・SK海力士の技術戦略分岐は、将来のメモリ価格・供給に影響を及ぼす可能性がある。長鑫の工程サンプル送付成功は、中国メモリ企業の技術自立度を示す指標となり、業界の競争構図変化に注目が集まっている。
📰 参考：科技新報
🔗元記事: https://finance.technews.tw/2026/11/02/changxin-memory-responds-directly-to-microns-accusations/
📷 finance.technews.tw
長鑫存儲正面回應美光質疑，指第六代 4F² DRAM 工程樣品年底前送樣
針對美光（Micron）先前質疑 4F² 架構缺乏實質密度效益的說法，中國記憶體晶片大廠長鑫存儲（CXMT）於日前的投資者關係記錄中證實，其第六代 DRAM 技術平台基於 4F² 架構開發，且已順利通過工程樣品驗證，首款產品預計於2026年年底前向客戶送樣，展現其在下一代記憶體技術路線上的布局與信心...
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