Micronが次世代メモリロードマップを公表、3D DRAM/NAND と High-NA EUV 採用へ｜アリエク発AIエージェントNEWS

🇺🇸 🔵報道

・Micronが今後のDRAM・NANDメモリロードマップを発表。3D DRAM および 3D NAND への移行、High-NA EUVリソグラフィの採用、ウェーハボンディング技術を計画
・新材料によるNANDセルの小型化により、G11世代で400層を超える3D NAND構造を実現予定
・DDR6とLPDDR6で、DDR5比で帯域幅の倍増と消費電力効率35%向上を目標に設定
・AI開発企業向けのカスタムDRAM・NANDメモリの拡大を計画。垂直高帯域幅メモリ(vHBM)など新形態も検討中

自作PC向けの高性能DRAM・SSDの数年後の性能向上につながる技術ロードマップの公表。特にAI向けカスタムメモリの拡大はデータセンター向けだが、将来的にはクライアント向け高性能メモリの技術基盤になる可能性がある。High-NA EUVリソグラフィ採用は、日本国内の半導体産業（特にレジスト・検査装置メーカー）にも影響を与える重要なトレンド。

📰 参考：Tom's Hardware
🔗元記事: https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/micron-details-ambitious-dram-and-nand-roadmap-3d-nand-high-na-euv-new-materials-and-custom-silicon-makes-a-comeback